삼성전자(대표 한종희, 경계현)는 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발, D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량을 확보했다고 1일 밝혔다.

1983년 64Kb(킬로비트) D램을 첫 개발, 이번 32Gb D램 개발로 40년만에 그 용량을 50만배 늘릴 수 있었다고 전했다. 

올해 5월에는 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산, 짧은 기간에 32Gb 개발까지 성공했다. D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십 성장에 주력한 결과라고 설명했다.

특히 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처를 개선했다. 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현해 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV 공정없이 제작할 수 있다. 

이때 TSV(실리콘 관통 전극)는 칩을 얇게 간 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 공정이다. 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 

아울러 동일 조건 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업에 최적의 솔루션이 될 전망이라고 전했다. 

삼성전자는 이번 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대할 계획이다. 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력하겠다고 밝혔다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “이번 개발로 향후 1TB(테라바이트) 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보했다”며 “향후에도 차별화한 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복할 것”이라고 전했다.

12나노급 32Gb DDR5 D램은 연내 양산을 시작할 계획이다.

장세민 기자 semim99@aitimes.com